2024年8月に「励磁突入電流抑制方法」の特許を取得しました。

【特許取得にあたって】

従来より弊社が有している「励磁突入電流抑制手法」ではカバー出来ない、初回課電での励磁突入電流を抑制可能にすることを目的として、技術を構築し特許化を行いました。

具体的には、解列時の情報が不明な変圧器に対して、定格の電圧を印加することなく、低周波・低電圧を印加・停止し、その停止時の電圧波形から変圧器内部の残留磁束を算出することで、次回定格電圧での課電時の励磁突入電流抑制が可能となります。

本発明は元興電舎技術顧問が発表した論文をヒントに、同じく元興電舎技術部部長により提唱された発明であり、宮崎大学との共同研究を経て特許化を行いました。



Inrush-Limiter T1の特設サイトはこちらから